反馈
利率这个网页
需要
支持吗?

打印

以前的新闻稿|下一个新闻发布会上

在半导体上宣布新的全碳化硅MOSFET模块解决方案,用于在APEC 2021充电电动车辆英国williamhill中文网中国人德国意大利日本人韩国人

用于高性能充电解决方案的宽带隙设备的综合组合英国williamhill中文网

亚太经合组织2021 -凤凰城,亚利桑那州。(2021年6月7日在Semiconments®(纳斯达克:开)上,推动节能创新,已宣布一对1200 V全碳化硅(SiC) MOSFET 2-PACK模块进一步增强其适合挑战的产品系列电动汽车市场

随着电动汽车销量的持续增长,必须推出基础设施来满足司机的需求,提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成旅程,而不会出现“里程焦虑”。该行业的要求正在迅速演变,要求功率水平超过350千瓦,95%的效率成为“标准”。考虑到这些充电器部署的环境和地点的多样性,紧凑性、健壮性和增强的可靠性都是设计师面临的挑战。

基于平面技术并适用于18-20 V范围内的驱动电压的新型1200 V M1全SiC MOSFET 2包模块简单地驱动负极栅极电压。与沟槽MOSFET相比,较大的管芯可降低热阻,从而在相同的操作温度下减小模具温度。

配置为2包半桥,NXH010P120MNF1是一个10 mohm的设备封装在F1而NXH006P120MNF2是F2包中的6个MoHM设备。该封装采用压配销,使其成为工业应用的理想选择,嵌入式负温度系数(NTC)热敏电阻有助于温度监测。

作为ON半导体EV充电生态系统的一部分,新的SIC MOSFET模块设计用于沿着驱动器解决方案(如)英国williamhill中文网ncd5700x设备.最近推出的NCD57252双通道隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5千伏的电流隔离,可配置为双低端,双桥或半桥操作。

NCD57252安装在一个小型SOIC-16宽体封装中,接受逻辑电平输入(3.3 V,5 V&15 V)。高电流装置(米勒平台电压下的源4.0 /水槽6.0a)适用于高速操作,因为典型的传播延迟是60ns。

补充新模块和门驱动器是ON半导体SiC场效电晶体与类似的硅装置相比,这提供了卓越的开关性能和增强的热量。这导致提高效率,更大的功率密度,改善的电磁干扰(EMI)和减少的系统尺寸和重量。

最近宣布的650 V SIC MOSFET采用新型活性电池设计与先进的薄晶片技术相结合,使(RDS(ON)*区域)能够获得一流的优点(FOM)图。系列中的设备如NVBG015N065SC1NTBG015N065SC1NVH4L015N065SC1nth4l015n065sc.为D2PAK7L / TO247打包MOSFET提供市场中最低的RDS(开启)。

1200 V和900 V n通道SiC mosfet芯片尺寸小,降低了器件电容和栅电荷(Qg -低至220 nC),在电动汽车充电器要求的高频工作时降低了开关损耗。

2021年亚太经合组织,在半导体上会展示碳化硅的解决方案为了工业应用此外,还将向参展商介绍该公司的车载电动汽车充电解决方案。英国williamhill中文网欲登记成为2021年亚太经合组织的访客,请访问http://apec-conf.org/conference/registration/

其他资源和文件:

登陆页面:能源基础设施

视频:25KW SIC模块快速EV直流充电器功率级

白皮书:揭开快速DC充电的神秘面纱:从上到下

文章:开发基于25千瓦的SIC的快速直流充电器(第1部分):EV应用开发25 kW基于SIC的快速直流充电器(第2部分):解决方案概述



关于半导体
在半导体(纳斯达克:ON)上推动节能电子创新,有助于使世界更环保,更安全,包容性和连接。该公司已转换为客户选择的电源,模拟,传感器和连接解决方​​案的选择供应商。英国williamhill中文网我们的优质产品帮助工程师解决了汽车,工业,云功率和物联网(物联网)应用中最独特的设计挑战。

ON Semiconductor运营着响应迅速、可靠的供应链和质量计划,以及稳健的ESG计划。公司总部位于亚利桑那州菲尼克斯市,在其主要市场拥有全球网络的生产设施,销售和营销办事处和工程中心。

#########

在半导体和ON半导体徽标上是半导体元件行业,LLC的注册商标。本文档中出现的所有其他品牌和产品名称都是其各自持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻发布中引用了其网站,但在此情况下不得包含在网站上的这些信息。

以前的新闻稿|下一个新闻发布会上
您的申请已提交审批。
请给予2-5个工作日的答复。
当您的请求被批准时,您将收到一封电子邮件。
此文件的请求已经存在,正在等待批准。