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来自Semiconments的IGBTS组合通过平衡V提供了最佳性能CE(坐)和E离开损失和可控距离vce过度。IGBT组合从正温度系数、低饱和电压(VCE(坐)),切换和传导损耗非常低,切换快。这些IGBT适用于高性能电力转换应用(PFC),DC-DC转换器,工业逆变器,UPS和EV充电站。投资组合还包括AEC-Q101合格和PPAP能够专门设计和合格的汽车行业应用。

特色新产品

AFGHL75T65SQDC:IGBT与SiC Copack二极管
  • SiC肖特基CO-Pack二极管
  • 快速切换IGBT.
  • AEC-Q101合格(汽车兼容)
AFGY100T65SPD: IGBT - 650v 100a FS3 for EV牵引逆变器应用
  • 低VCE(坐)电压
  • 软恢复二极管
  • 严格的参数分布
AFGY120T65SPD: IGBT - 650v 120a FS3 for EV牵引逆变器应用
  • 低VCE(坐)电压
  • 软恢复二极管
  • 严格的参数分布

产品系列

EV牵引逆变器IGBT

ON Semiconductor的Field Stop 3 igbt产品组合,用于电动汽车牵引逆变器应用。

汽车igbt

ON Semiconductor的汽车应用igbt组合。

非汽车igbt

关于非自动化应用的半导体的IGBT组合。

VE-Trac芯片,裸芯片

在半导体的VE-TRAC上,IGBT裸管汽车应用。

ECOSPARK 1, 2, 3 igbt

ON Semiconductor的igbt产品组合经过了优化,能够在汽车点火系统的恶劣环境中驱动线圈。

Shorted-anode igbt

在半导体的短路 - 阳极沟槽IGBT中提供卓越的传动和切换性能,可用于软切换应用。

感应加热igbt

该技术在苛刻的开关应用方面提供了卓越的性能,并针对感应加热解决方案进行了优化。英国williamhill中文网

视频

VE-Trac牵引逆变器创新解决方案

ON Semiconductor提供两种电源模块选项,利用我们最新的750V和1200V IGBT技术,支持400 V和800 V电池电压…

电动汽车车载充电器演练

ON Semiconductor的车载充电器解决方案概述。

2017年亚太经合组织宽带间隙演示

这个视频强调了宽带隙的演示由ON半导体使用双脉冲测试仪显示碳化硅(SiC)二极管的恢复速度。

产品资源

应用注释

阅读ON Semiconductor IGBT数据表

绝缘栅极双极晶体管是适用于高功率应用的电源开关,例如电机控制,UPS和太阳能逆变器和感应加热。如果申请要求良好理解,则可以从制造商数据表中提供的电气特性中轻松选择正确的IGBT。本应用笔记描述了在“半导体IGBT数据表”中提供的电气参数。

应用注释

igbt的可靠性和质量

在今天的半导体市场中,公司成功的两个重要元素是产品质量和可靠性。两者都是相互关联的 - 可靠性是在产品的预期寿命上延伸的质量。对于任何制造商留在业务中,他们的产品必须满足和/或超过基本质量和可靠性标准。在半导体中,作为半导体供应商,通过提供最艰苦的应用程序来成功实现了这些标准,以便在最不利的环境中执行。

应用注释

栅极-发射极电压对通断损耗和短路能力的影响

本应用笔记描述了栅极-发射极电压对IGBT器件性能的一些影响。与mosfet和bjt不同,IGBT的栅极-发射极电源电压的大小对器件的性能有更显著的影响。栅极-发射极电压的大小影响器件的通断损耗和短路存活能力。

应用注释

ON Semiconductor的电机控制igbt和自由滚轮二极管

在电机控制环境中使用igbt需要几个属性,这些属性可以分为两类。短路额定值和soa是设备健壮性的指示。传导和开关能量损失是器件效率的度量。本应用记录将检查ON Semiconductor的IGBT和自由滚轮二极管,并展示损耗和坚固性问题如何影响电机驱动应用中IGBT的选择。

博客

VE-Trac Direct和VE-Trac Dual电源模块驱动的电动汽车

Jonathan Liao是我们负责VE-Trac直接和双产品系列的产品线经理之一。

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