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SRAM记忆

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ON半导体的系列串行SRAM(静态随机存取存储器)包括几个集成的存储设备,内部组织为128k, 32k,或8k字的8位。ON半导体使用其先进的CMOS技术设计和制造器件,以提供高速性能和低功耗。该设备使用单片选择(CS)输入,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式中,一条数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起使用来访问设备内的数据。在1mb SRAM设备中,两条多路数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线用于DUAL模式,四条多路数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线用于时钟以QUAD模式访问存储器。SRAM器件的理想性能特征和特点包括极低的待机电流、极低的工作电流、灵活的工作模式、内置的写保护(CS高)、高可靠性(无限的写周期)和简单的串行接口存储器控制。它们在-40°C到85°C的广泛温度范围内运行,并可在几个标准包装产品中提供。应用包括智能仪表,心脏监测设备,视频处理,事件记录器,报警系统,汽车MP3接口,医疗监测设备,游戏控制器,IP摄像机缓冲,电池充电器,激光接收系统,GPS攻击跟踪,可编程逻辑控制器,IP无线电等。
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