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光电子学

  • 光电和光耦合器器件组合多种输入和输出配置,降低功耗并提供优越的抗噪性
  • 光耦合器用于低带宽/通用交换应用,高性能光耦合器为高带/高增益应用,高压光耦合器和红外组件

产品

TRIAC驾驶员光电耦合器

光电随机相三端双向可控硅司机,零交叉转移驾驶员

IGBT / MOSFET栅极驱动器光电耦合器

光电IGBT / MOSFET栅极驱动器利用OptoPLAN​​AR®共面包装技术和优化的IC设计,实现高绝缘电压和高噪声免疫力,其特征在于高共模抑制。这些设备提供1,414 V峰值工作电压,以允许设备直接驱动介质功率IGBT。在输出级使用P沟道MOSFET在切换该电流解决方案期间,每个周期都能降低动态功耗。英国williamhill中文网

红外线的

在半导体的红外产品系列包括离散发光二极管(砷化镓或GaAs,砷化镓或AlgaAs),离散硅光电探测器(光电二极管,光电晶体管,光致谐波和opologarlingtons和Optogicic®IC检测器),用于光学断路器开关和反射传感器的组件。

红外器件用于各种最终产品应用,用于定位或运动感测(例如,办公设备,工业控制和电器)以及环境传感器(例如烟雾探测器)和光学数据传输(例如,遥控和仪表读数)。

在各种塑料,通孔和表面贴装封装中,红外装置由从最新的流程和材料生长的晶片构建 - 用于探测器的发光二极管和硅的III-V。所有产品都是免费的(PB)免费,符合RoHS。

在半导体的产品组合上是成熟产品的组合,该产品已在长期的工业应用中使用20年,以及用于工业和医疗群体的快速变化应用的创新产品。

高性能光电耦合器

在半导体的3.3V / 5V高速逻辑门光耦合器支持系统之间的隔离通信而不导电地环或危险电压。每个高速光耦合使用半导体专利的共普利人包装技术,Optoplanar®和优化的设计。这实现了出色的抗噪性,其特征在于,具有高共同的瞬态免疫力和电源抑制规范,并允许这些器件在嘈杂的工业环境中运行(比我们最接近的竞争对手更好)。

通过组合双向配置中的2个光耦合器通道的可靠隔离,高集成,新释放的FOD8012允许系统工程师设计强大的系统,具有低传输错误率和低系统故障率。该解决方案在工业系统所需的延长时间段内,该解决方案以低成本的设计和部件提供了延长的时间。

PhotoLro ansistor Optocouplers.

在半导体新的FODM8801 Optohit™高温光电晶体光耦合器中实现高温环境中的设计边缘和稳定参数。在高效温度下实现高抗噪性和可靠隔离,高达125°C,因为这一新系列在半导体专有的OptoPlanar®共同组装技术上的实施方式。此外,FODM8801还提供出色的CTR线性,并在非常低的输入电流(IF)下运行。光耦合器由铝镓(AlgaAs)红外发光二极管组成,光学耦合到光电晶体管。

由于FODM8801封装在紧凑,半间距,迷你平板上(1.27mm铅间距),优势还包括电路板空间节省和设计灵活性,最终允许整体降低系统成本。

工具

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