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IGBT / MOSFET栅极驱动器光电耦合器

概述
产品
技术文档
IGBT和MOSFET栅极驱动器的组合从半导体上的光电耦合器包括各种电流栅极驱动八耦器,驱动电源IGBT和MOSFET。它们由铝镓砷(AlgaAs)发光二极管(LED)组成,所述发光二极管(LED)光学耦合到具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器的集成电路。这些器件使用从半导体,Optoplanar®和优化的IC设计上专有的共面包装技术,以实现高抗噪性,其特征在于高共模抑制。投资组合的其他理想性能特性和特性包括高噪声抗扰度,宽电源电压范围,快速开关速度,具有滞后的欠压锁定(UVLO),并且在输出级使用P沟道MOSFET可以实现输出电压靠近电源轨道。该装置在-40°C的延长工业温带范围内运行,高达125°C温度范围,并实现以下安全性和监管批准:UL1577和DIN EN / IEC60747-5-5。应用包括AC-DC商用电源,能量发电和分配,工业电机,不间断电源(UPS),工业逆变器,感应加热,隔离IGBT /功率MOSFET栅极驱动器和AC和无刷直流电机驱动器。
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