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碳化硅(SiC) mosfet

概述
产品
技术文档
碳化硅(SiC)MOSFET的组合设计为快速且粗糙。碳化硅(SiC)MOSFET具有10倍的介电击穿场强,电子饱和速度高出2倍,较高的能量不良间隙,导热率较高3倍。所有ON Semiconsool的SIC MOSFET包括AEC-Q101的合格和PPAP能够专门设计和合格的汽车和行业应用。系统益处包括降低功率损耗,更高的功率密度,更高的工作频率,增加的温度操作,降低EMI以及最重要的减少系统尺寸和成本的最高效率。

产品族

650 V SiC mosfet

ON Semiconductor的650 V碳化硅(SiC) mosfet产品组合。

900伏SiC mosfet

ON半导体的900 V碳化硅(SiC) mosfet组合。

1200 V SIC MOSFET

在半导体的1200 V碳化硅(SIC)MOSFET中的组合。

视频

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产品资源

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